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地方法院

广州知产法院:大自达电线股份有限公司诉广州方邦电子股份有限公司电磁屏蔽膜专利侵权案

时间:2018-05-01   出处:广州知产法院  作者:  点击:

裁判文书摘要


案号

(2017)粤73民初263号

案由 侵害发明专利权纠纷
涉案专利 ZL200880101719.7“印刷布线板用屏蔽膜以及印刷布线板”
合议庭

朱文彬、谭海华、邓永军

法官助理 齐柳
书记员 周宇
当事人
原告:大自达电线股份有限公司
被告:广州方邦电子股份有限公司
裁判日期
2017年7月21日
裁判结果
驳回原告大自达电线股份有限公司的全部诉讼请求
涉案法条
《中华人民共和国专利法》第五十九条第一款、《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第三条、第七条,《中华人民共和国民事诉讼法》第六十四条第一款,《最高人民法院关于适用〈中华人民共和国民事诉讼法〉的解释》第九十条


裁判文书


中华人民共和国


广 州 知 识 产 权法 院


民 事 判 决 书


(2017)粤73民初263号


当事人信息


原告:大自达电线股份有限公司。


法定代表人:外池廉太郎,该公司董事长兼总经理。

委托诉讼代理人:张晓霞,北京市金杜律师事务所律师。

委托诉讼代理人:靳强,北京市金杜律师事务所律师。


被告:广州方邦电子股份有限公司。


法定代表人:苏陟,该公司董事长。

委托诉讼代理人:郝传鑫,广州三环专利代理有限公司专利代理人。


原告诉称


原告大自达电线股份有限公司与被告广州方邦电子股份有限公司侵害发明专利权纠纷一案,本院于2017年1月16日立案后,依法适用普通程序,公开开庭审理了本案。原告的委托诉讼代理人张晓霞、靳强以及被告的委托诉讼代理人郝传鑫到庭参加诉讼。本案现已审理终结。


原告诉称


原告向本院提出诉讼请求:1.判令被告立即停止制造、销售、许诺销售侵害原告专利号为ZL200880101719.7、名称为“印刷布线板用屏蔽膜以及印刷布线板”发明专利权的8款型号为HSF6000-2、HSF8000-2、HSF-USB3、HSF-USB3-C、HSF-KDT-02、HSF-KDT-04、HSF-KDT-10、HSF-KDT-12的屏蔽膜产品,并销毁专用于生产上述侵权产品的设备和模具,以及销毁所有库存的侵权产品;2.判令被告赔偿原告经济损失9200万元、合理维权费用72万元,合计9272万元;3.判令被告负担本案诉讼费用。


事实和理由:原告是专利号为ZL200880101719.7、名称为“印刷布线板用屏蔽膜以及印刷布线板”发明专利权人,该专利至今合法有效,应受法律保护,原告在本案中主张保护的是该专利权利要求8、9、10。被告未经原告许可,擅自大量制造、销售、许诺销售侵害原告专利权的8款型号为HSF6000-2、HSF8000-2、HSF-USB3、HSF-USB3-C、HSF-KDT-02、HSF-KDT-04、HSF-KDT-10、HSF-KDT-12的屏蔽膜产品,获利巨大,给原告造成了巨大的经济损失,因此原告提起本案诉讼,以维护原告的合法权益。


被告辩称


被告辩称:1.被告制造、销售、许诺销售了原告起诉的8款屏蔽膜产品,就以上8款被诉侵权产品被告自2013年至2016年总销售毛利为305884943.84元,扣除运营费用及税费后净利润为172723417.74元。2.涉案8款被诉侵权产品的技术方案是一致的,与涉案专利的权利要求8、9、10相比对,被诉侵权技术方案的第一金属层并非以波纹结构的方式形成,未包含权利要求8中“第一金属层以沿着所述绝缘层的所述单面表面成为波纹结构的方式形成”的技术特征,故被诉侵权技术方案不落入涉案专利权的保护范围,被告不构成侵害涉案专利权的行为。

经审理查明:2010年2月3日,大自达系统电子株式会社向国家知识产权局提交发明专利原始申请文件,发明创造名称为“印刷布线板用屏蔽膜以及印刷布线板”,申请号为200880101719.7,其中权利要求1、2、3的内容如下:1.一种印刷布线板用屏蔽膜,其特征在于,具有在绝缘层的单面表面形成的第一金属层,所述绝缘层的单面表面的算术平均粗糙度(JIS B 0601(1994年))是0.5~5.0μm,并且,所述第一金属层以沿着所述绝缘层的单面表面成为波纹结构的方式形成。2.如权利要求1所述的印刷布线板用屏蔽膜,其特征在于,所述第一金属层的与所述绝缘层相反一侧的面的算术平均粗糙度是0.5~5.0μm。3.如权利要求1或2所述的印刷布线板用屏蔽膜,其特征在于,所述第一金属层是使用镍、铜、银、锡、金、钯、铝、铬、钛、锌、以及包含这些材料中任意一种以上的合金中的任意一种材料的层。


在提交原始申请文件后,申请人大自达系统电子株式会社对专利的权利要求进行了修改,原权利要求1修改为权利要求8、原权利要求2修改为权利要求9、原权利要求3修改为权利要求10,修改后的权利要求8、9、10内容分别为:8.一种印刷布线板用屏蔽膜,其特征在于,具有:单面表面的算术平均粗糙度(JIS B0601(1994年))是0.5~5.0μm的绝缘层;在所述绝缘层的所述单面表面形成的第一金属层,所述第一金属层的两面沿着所述绝缘层的所述单面表面形成。9.如权利要求8所述的印刷布线板用屏蔽膜,其特征在于,所述第一金属层的与所述绝缘层相反一侧的面的算术平均粗糙度是0.5~5.0μm。10.如权利要求8或9所述的印刷布线板用屏蔽膜,其特征在于,所述第一金属层是使用镍、铜、银、锡、金、钯、铝、铬、钛、锌、以及包含这些材料中任意一种以上的合金中的任意一种材料的层。原始申请文件的说明书及附图的内容未作修改。2010年8月4日,国家知识产权局发出《发明专利申请公布及进入实质审查阶段通知书》。


2011年6月27日,国家知识产权局发出《第一次审查意见通知书》,载明审查是针对下列申请文件进行的:依据专利合作条约第28条或者第41条提交的修改,权利要求第1-32项;2010年2月3日提交的说明书第1-188段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图。审查意见包括以下内容:修改后的权利要求8不符合专利法第33条的规定。申请人于2010年2月3日提交的按照条约第41条作出的修改文本超出了原说明书和权利要求书记载的范围,不符合专利法第33条的规定。新提交的权利要求8修改后的技术特征“第一金属层的两面沿着所述绝缘层的单面表面形成”在原申请文件中没有记载。原申请文件仅记载了波纹结构的第一金属层和大致平坦结构的第一金属层两种实施例,没有给出第一金属层以其他方式(比如锯齿形或连续的凹凸形)的形成结构,而且本领域技术人员也不能从原申请文件记载的内容直接、毫无疑义地得到除了波纹和平坦方式以外的其他形成结构;同时由于第一金属层在绝缘体的单面形成,与绝缘体仅单面相贴,本领域技术人员也不能从原申请文件记载的内容直接、毫无疑义地得出如何将第一金属层的哪两个面沿着绝缘层的单面延展形成,因此这一修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围。修改之后权利要求8的技术方案和原技术方案相比有实质性的区别,使得新的权利要求出现了原申请中没有记载的新的技术方案,因此不符合专利法第33条和有关修改不得超出原权利要求书和说明书记载的范围的规定。……申请人应当重新提交符合专利法规定的修改文件,并对本通知书中提出的所有问题逐一详细地作出说明。申请人对申请文件的修改应当符合专利法第33条的规定,不得超出原说明书和权利要求书记载的范围。申请人提交的任何修改都应在意见陈述书中详细陈述修改的依据和修改没有超出原申请记载范围的理由。


2011年10月25日,申请人针对上述国家知识产权局的第一次审查意见通知书作出意见陈述书,包括以下内容:贵审查员指出权利要求8的技术特征“第一金属层的两面沿着所述绝缘层的单面表面形成”没有记载在原申请文件中,不符合专利法第33条的规定。对此,申请人将权利要求8的上述特征修改成“所述第一金属层以沿着所述绝缘层的所述单面表面成为波纹结构的方式形成”。通过上述修改,权利要求8的记载技术方案与原说明书记载的内容一致,能够符合专利法第33条的规定。


2012年4月20日,国家知识产权局作出《第二次审查意见通知书》,包括以下内容:指出权利要求1、6、8中出现了“算术平均粗糙度(JIS B 0601(1994年))”的特征,括号的使用使得权利要求限定出两个不同的保护范围,因此这些权利要求是不清楚的,不符合专利法第26条第4款的规定。此外,建议申请人也在权利要求9中对“算术平均粗糙度”采用JIS B 0601(1994年)标准做出限定。


2012年6月11日,申请人针对上述国家知识产权局的第二次审查意见通知书作出意见陈述书,包括以下内容:贵审查员指出权利要求1、6、8中出现的“算术平均粗糙度(JIS B 0601(1994年))”的特征因为使用括号而不清楚。对此,申请人删除了括号并保留了括号中的内容,即根据原括号中的内容在权利要求中定义了“所述算术平均粗糙度是由1994年的JIS B 0601标准定义的算术平均粗糙度”。同样地,申请人按照贵审查员的建议也同样地对权利要求9中的“算术平均粗糙度”进行了“所述算术平均粗糙度是由1994年的JIS B 0601标准定义的算术平均粗糙度”的定义。通过上述修改,权利要求1、6、8、9变得清楚,能够符合专利法第26条第4款的规定。


2012年7月26日,国家知识产权局作出《授予发明专利权通知书》,指出授予专利权的发明专利申请是以下列申请文件为基础的:2010年2月3日提交的说明书第1-188段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图;2012年6月18日提交的权利要求第1-32项。2012年10月17日,申请人由大自达系统电子株式会社变更为原告。2012年11月28日,涉案发明专利授权公告,专利权人为原告,名称为“印刷布线板用屏蔽膜以及印刷布线板”,申请号为200880101719.7,根据2016年7月11日的专利登记簿副本,专利第8年度年费已缴纳。专利权利要求8、9、10的内容如下:8.一种印刷布线板用屏蔽膜,其特征在于,具有:单面表面的算术平均粗糙度是0.5~5.0μm的绝缘层;在所述绝缘层的所述单面表面形成的第一金属层,其中,所述算术平均粗糙度是由1994年的JIS B 0601 标准定义的算术平均粗糙度,所述第一金属层以沿着所述绝缘层的所述单面表面成为波纹结构的方式形成。9.如权利要求8所述的印刷布线板用屏蔽膜,其特征在于,所述第一金属层的与所述绝缘层相反一侧的面的算术平均粗糙度是0.5~5.0μm,其中,所述算术平均粗糙度是由1994年的JIS B 0601 标准定义的算术平均粗糙度。10.如权利要求8或9所述的印刷布线板用屏蔽膜,其特征在于,所述第一金属层是使用镍、铜、银、锡、金、钯、铝、铬、钛、锌、以及包含这些材料中任意一种以上的合金中的任意一种材料的层。专利说明书包括以下等内容:背景技术[0002]一直以来,使用了金属层的印刷布线板用屏蔽膜是众所周知的。例如,存在下述专利文献1所公开的印刷布线板用屏蔽膜。在专利文献1中公开了一种带导电性粘接层的转印用金属薄膜片,其特征在于,在合成树脂片基材的至少一个表面层叠有金属层,该金属层和合成树脂片的剥离强度为5N/cm以下,并且,该带导电性粘接层的转印用金属薄膜片的特征还在于,在能够容易地转印到FPC等上的转印用金属薄膜片以及该转印用金属薄膜片的金属层表面层叠导电性粘接层,该导电性粘接层是在树脂组成物中分散金属粉末以及/或者碳粉末而成的。[0003]专利文献1:日本特开2006-297714号公报。发明内容[0005]近年来,在计算机、通信设备、摄像机等装置中,期望有能够更经得住从大的弯曲半径至变为小的弯曲半径(1.0mm)的反复弯曲及滑动的印刷布线板用屏蔽膜以及印刷布线板。[0006]但是,专利文献1的带导电性粘接层的转印用金属薄膜片虽然具有某种程度的可挠性,但是,对从大的弯曲半径至变为小的弯曲半径(1.0mm)的反复弯曲及滑动并没有考虑,当进行这样的从大的弯曲半径至变为小的弯曲半径(1.0mm)的反复弯曲及滑动时,存在金属层发生破坏的情况,从而导致电磁波屏蔽特性下降。[0007]因此,本发明的目的在于提供一种对于从大的弯曲半径至变为小的弯曲半径(1.0mm)的反复弯曲及滑动,金属层难以发生破坏的印刷布线板用屏蔽膜以及印刷布线板。[0009]由于金属层是具有高弯曲性的波纹结构,所以,能够提供一种对于从大的弯曲半径至变为小的弯曲半径(1.0mm)的反复弯曲及滑动,金属层难以发生破坏的印刷布线板用屏蔽膜。因此,能够提供一种电磁波屏蔽特性难以降低的印刷布线板用屏蔽膜。另外,在贴附在印刷布线板上使用时,保护印刷布线板,并且,即使印刷布线板反复弯曲及滑动,也能够维持电磁波屏蔽特性。[0098]对本发明的第一实施方式的印刷布线板用屏蔽膜进行说明。图1是本发明的第一实施方式的印刷布线板用屏蔽膜的示意剖视图。[0099]图1所示的印刷布线板用屏蔽膜10是在绝缘层1的单面(表面的算术平均粗糙度(JISB 0601(1994年))为0.5~5.0μm)设置波纹结构的金属层2而形成的。[0101]作为绝缘层1的表面粗糙度的调整方法,能够举出用沙子等粒子对绝缘层1的表面自身进行打磨的喷沙法、在绝缘层1的表面涂敷分散混入了微粒子的合成树脂以形成凹凸的化学粗糙法、在硬化前的树脂材料自身中预先混入微粒子并进行硬化来形成绝缘层1的混入法、利用酸性药剂或者碱性药剂等药剂进行蚀刻的蚀刻法、等离子体蚀刻法等。[0115]接着,对本发明的第三实施方式的印刷布线板用屏蔽膜进行说明。图3是本发明的第三实施方式的印刷布线板用屏蔽膜的示意剖视图。[0116]对于图3所示的印刷布线板用屏蔽膜30来说,在绝缘层21的大致平坦的单面上设置通过堆积一种以上的鳞片状金属粒子而形成的金属层22。[0072]图13的(a)是本发明的实施例1的印刷布线板用屏蔽膜的SEM照片,(b)是表示(a)的SEM照片的拍摄方向的示意图。说明书附图的图1、图3、图13见附件一。


被告为证明涉案专利权利要求8中“所述第一金属层以沿着所述绝缘层的所述单面表面成为波纹结构的方式形成”的技术特征是涉案专利区别于现有技术的核心必要技术特征,提交了涉案专利说明书背景技术中提及的日本特开2006-297714号发明专利,以及另行检索的在我国台湾地区申请注册的申请号为93111834、名称为电磁波遮蔽性光扩散片材的发明专利。其中日本特开2006-297714号发明专利名称为“转印用金属薄膜片”,发明目的是提供一种作用电磁波屏蔽胶带材料具有优良的电磁波遮蔽性能,非常薄,并且不损伤被覆盖体的柔软性的转印用金属薄膜片以及具有导电性粘合层的转印用金属薄膜片。权利要求1为一种转印用金属薄膜片,其特征在于在合成树脂片基材的至少一侧表面压有金属薄膜层,该金属薄膜层与合成树脂片基材的剥离强度为5N/cm以下;权利要求2为根据权利要求1所述的转印用金属薄膜片,其特征在于在合成树脂片基材的表面形成有微量的凹凸,以使其光泽度为5-30%。在说明书[0012]有以下内容:可在合成树脂片基材的表面形成0.01-5μm的微量的凹凸,作为形成微量的凹凸的方法,可列举用砂磨法打磨成形后的膜表面的方法、在成型后的膜表面涂敷在合成树脂中分散有微小粒子的涂敷剂的化学磨砂法、在成型前的树脂材料中预先混入微小粒子再成型的揉入法等。被告认为日本特开2006-297714号发明专利中的合成树脂片基材对应的是涉案专利的绝缘层,而该日本专利中的合成树脂片基材表面的微量的凹凸对应的是涉案专利的绝缘层表面的算术平均粗糙度,且日本专利说明书[0012]与涉案专利说明书[0101]中关于表面粗糙度的形成都描述了基本相同的对应方法。因此,被告认为相对于背景技术日本特开2006-297714号发明专利而言,第一金属层以沿着所述绝缘层的所述单面表面成为波纹结构的方式形成的技术特征是实现涉案专利“由于金属层是具有高弯曲性的波纹结构,所以能够提供一种对于从大的弯曲半径至变为小的弯曲半径(1.0mm)的反复弯曲及滑动,金属层难以发生破坏的印刷布线板用屏蔽膜”的发明目的的核心必要技术特征。


被告是股份有限公司,成立于2010年12月15日,主营业务是计算机、通信和其他电子设备制造业,注册资本为6000万元。被告制造、销售、许诺销售了8款型号为HSF6000-2、HSF8000-2、HSF-USB3、HSF-USB3-C、HSF-KDT-02、HSF-KDT-04、HSF-KDT-10、HSF-KDT-12的屏蔽膜产品,被告确认其2013年至2016年就上述产品获得的销售毛利为305884943.84元,扣除运营费用及税费后净利润为172723417.74元。


2016年,原告通过公证购买方式取得了型号为HSF8000-2的屏蔽膜产品;2017年,在本案起诉后,根据原告申请,本院作出证据保全裁定,保全取得了型号为HSF6000-2、HSF-USB3、HSF-USB3-C、HSF-KDT-02、HSF-KDT-04、HSF-KDT-10、HSF-KDT-12的其余7款屏蔽膜产品及相关的销售合同、发票等文件资料的复印件。


2016年2月25日,北京市金杜律师事务所委托北京智慧知识产权司法鉴定中心就被告制造的型号为HSF-USB3/HSF8000的屏蔽膜产品与原告涉案专利的权利要求8-10上记载的技术特征是否相同或者等同进行鉴定,该鉴定机构于2016年7月9日完成鉴定,作出智慧司法鉴定中心[2016]知鉴字第7号《司法鉴定意见书》(以下简称涉案鉴定意见)。鉴定方法是对被鉴定物截面做切片,通过扫描电子显微镜和能量色散X射线谱仪分析被鉴定物截面分层情况及各层成分,结论是被鉴定物包含与涉案专利权利要求8-10记载的全部技术特征相同的技术特征。其中,涉案鉴定意见的附件2是被鉴定物成份分析的《检测报告》,由附件2可知被鉴定物共分五层(见附件二),白色部分的第三层即测试位置3是金属层,金属层下方的第四层即测试位置4是绝缘层;涉案鉴定意见的附件3是关于被鉴定物切片的SEM分析,形成了149幅切片SEM结果图(见附件三),其中白色部分是被鉴定物第一金属层的结构,涉案鉴定意见将这149幅图片文件输入粗糙度计算软件,计算出金属层与绝缘层相接触面的表面算术平均粗糙度为0.6938μm,金属层与绝缘层相接触面的相对一面的表面算术平均粗糙度为0.5834μm。原告主张8款被诉侵权屏蔽膜产品实施的技术方案是相同的,8款被诉侵权屏蔽膜产品的技术特征与涉案鉴定意见所证明的被鉴定物的技术特征内容一致,其中切片SEM结果图中的白色部分是8款被诉侵权屏蔽膜产品第一金属层的结构。庭审中,被告确认8款被诉侵权的屏蔽膜产品实施的技术方案是相同的,因此可以统一与涉案专利的权利要求8-10进行比对;被诉侵权产品除了存在第一金属层并非以波纹结构的方式形成这个与涉案专利既不相同也不等同的区别特征外,被诉侵权产品实施的技术方案包含了涉案专利要求8-10的其他全部技术特征。并且,被告确认8款被诉侵权屏蔽膜产品的第一金属层的结构与涉案鉴定意见的附件2及附件3中的切片SEM结果图所体现的被鉴定物第一金属层的结构是一致的。即双方当事人均确认涉案鉴定意见的切片SEM结果图的白色部分呈现的正是8款被诉侵权屏蔽膜产品(以下简称被诉侵权产品)的技术方案中双方当事人唯一存在争议的技术特征第一金属层的结构。


针对涉案鉴定意见,本院通知鉴定人出庭作证。鉴定人称在委托鉴定时委托人并未向鉴定机构出具涉案专利从申请到获得授权期间的文件,因此鉴定人在作出鉴定意见前,并不了解专利申请后申请人对权利要求的修改,国家知识产权局的第一次、第二次审查意见通知书以及申请人针对审查意见作出的意见陈述书等情况。在本院向鉴定人出示以上证据后,鉴定人认为,根据以上文件,波纹结构的第一金属层与连续的凹凸形结构的第一金属层有可能存在不同;根据涉案鉴定意见的切片SEM结果图所体现的被诉侵权产品第一金属层的结构,可以排除该结构属于锯齿结构,但是难以区分属于波纹结构还是连续的凹凸形结构,假设权利要求将第一金属层的结构表述为连续的凹凸形结构,鉴定人认为被诉侵权产品的第一金属层的结构也是落入权利要求保护范围的。


对于涉案鉴定意见的切片SEM结果图所体现的被诉侵权产品第一金属层的结构是否属于波纹结构,双方当事人在庭审中及庭审后提交的代理词中陈述了不同意见。被告认为:首先,根据国家知识产权局第一次的审查意见以及原告针对该审查意见的意见陈述,依据禁止反悔原则,涉案专利权利要求8中记载第一金属层的波纹结构应当仅限于涉案专利说明书附图1中所显示的由多个等高等长的弧形构成的波纹结构,而不包括锯齿形、连续的凹凸形等任何其他形态的结构。其次,涉案专利权利要求8第一金属层的“波纹结构”与“算术平均粗糙度”两个技术特征相比,应当分别属于宏观和微观的概念,前者是权利人希望具有特定形状的,而后者属于随机无序且无特定形状的,既然权利要求中记载微观的“算术平均粗糙度”为0.5~5.0μm,则宏观的“波纹结构”的波高应当远远大于5.0μm。再次,涉案鉴定意见的切片SEM结果图所体现的被诉侵权产品第一金属层的细微凹凸不平目测最高点到最低点应该小于5.0μm,实质只是由于第一金属层的“算术平均粗糙度”造成的,因此被诉侵权产品第一金属层的结构应当属于大致平坦的结构而非波纹结构。最后,退一步而言,即使认为被诉侵权产品第一金属层的细微凹凸不是粗糙度的问题,而是属于凹凸结构,由于149幅切片SEM结果图中的第一金属层结构没有一张是完全相同的,因此该种结构与涉案专利权利要求8由多个等高等长的弧形构成的波纹结构既不相同也不等同。对于被告的意见,原告认为:首先,关于权利要求8记载的波纹结构,根据《现代汉语词典》,波纹的含义是“小波浪形成的水纹”,生活常识中这种水纹都是平滑的上下波动,同时结合涉案专利发明目的,为了避免第一金属层在反复弯曲和滑动中由于曲率突变发生断裂的情形,权利要求8的波纹结构应当理解为“基本平滑的上下波动的结构”;而国家知识产权局第一次的审查意见提及的锯齿形和连续的凹凸形(见附件四)指的都是曲率突变的形状,不是权利要求8的波纹结构,而且申请人的修改也只是将权利要求恢复到原始申请文件的状态,并未表示要放弃某些技术方案。其次,对于涉案产品而言,被告的产品手册提及其屏蔽膜产品中金属层的厚度在0.2μm-1.5μm之间,因此放大到μm级别来观察第一金属层的形状结构是合理的;被诉侵权产品的第一金属层呈现了明显的波纹结构。


2016年7月12日,原告委托代理人在公证人员监督下浏览中国证券监督管理委员会网站内容,公证处据此出具(2016)京国信内经证字第03893号公证书。在上述网站“信息披露”的“预先披露”栏目中发现“广州方邦电子股份有限公司创业板首次公开发行股票招股说明书(申报稿2016年6月16日报送)”,该招股说明书中包含以下等陈述:目前在全球范围内除被告外,只有原告、东洋科美等少数厂家可以生产技术性能稳定的高端电子屏蔽膜;2000年原告首先开发出电磁屏蔽膜,占据全球主要市场地位,规模最大;2012年被告成功开发出具有自主知识产权的电磁屏蔽膜产品,规模仅次于原告;东洋科美在原告之后开发出电磁屏蔽膜产品等。


在被告的产品手册中,型号为HSF6000的屏蔽膜产品,被告自述金属合金层的厚度为0.2μm,绝缘层厚度为5μm,计算单位均为μm。


另查明,原告主张其为本案侵权诉讼支出了72万元合理费用,具体包括以下等费用:1.公证费14000元,原告提交了金额分别为9000元和5000元的公证费发票两张;2.鉴定费85000元,原告提交了上述费用的发票;3.复印证据保全的财务资料费2400元,原告提交了上述费用的发票;4.鉴定人员出庭费用3000元及交通住宿费用5374元,原告提交了鉴定人员出庭费用的发票以及航空运输电子客票行程单、酒店住宿的网络订单;5.购买被诉侵权产品费用13000元;6.律师费用559000元,原告提交了发票,但未提交委托代理合同;7.调查咨询费32064元,原告提交了咨询费发票。被告认为律师费用和咨询费用与本案无关,对其他费用的真实性和关联性没有异议。


本院认为


本院认为,本案属于侵害发明专利权纠纷,根据原告的诉讼请求、事实理由以及被告的答辩及陈述,原告是涉案专利的权利人,该专利权处于合法有效状态,应受法律保护。被告制造、销售、许诺销售了8款被诉侵权产品且8款被诉侵权产品所实施的技术方案均相同,被告认为被诉侵权技术方案缺少涉案专利权利要求8中“第一金属层以沿着所述绝缘层的所述单面表面成为波纹结构的方式形成”的技术特征,第一金属层并非以波纹结构的方式形成;除此以外,被诉侵权技术方案包含了涉案专利权利要求8-10的其他全部技术特征。双方当事人主要存在的争议焦点如下:(一)如何解释涉案专利权利要求8中关于第一金属层以波纹结构的方式形成这个技术特征,从而确定原告涉案专利权的保护范围。(二)被诉侵权技术方案是否包含与“第一金属层以沿着所述绝缘层的所述单面表面成为波纹结构的方式形成”的技术特征相同或等同的技术特征,从而确定被诉侵权技术方案是否落入原告涉案专利权的保护范围。(三)在被告构成侵权的情况下,原告主张的侵权责任应否得到支持。


(一)关于第一个争议焦点问题,在确定涉案发明专利权的保护范围时,双方当事人关于权利要求的解释存在争议的技术特征是权利要求8中“第一金属层以沿着所述绝缘层的所述单面表面成为波纹结构的方式形成”,关键在于其中第一金属层的波纹结构应如何解释。《中华人民共和国专利法》第五十九条规定,发明或者实用新型专利权的保护范围以其权利要求的内容为准,说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第三条规定,人民法院对于权利要求,可以运用说明书及附图、权利要求书中的相关权利要求、专利审查档案进行解释。说明书对权利要求用语有特别界定的,从其特别界定。以上述方法仍不能明确权利要求含义的,可以结合工具书、教科书等公知文献以及本领域普通技术人员的通常理解进行解释。据此,法院在对权利要求进行解释时,除了应当运用说明书、附图及其他相关权利要求以外,还应当结合专利审查档案进行解释,并且说明书、附图、其他相关权利要求以及专利审查档案对于权利要求的解释作用,优于工具书、教科书等公知文献以及本领域普通技术人员对权利要求含义的通常理解,后者仅在前者不足以明确权利要求时起补充解释的作用。通过审查专利审查档案的内容,可以明确申请人在专利申请过程中对于专利权保护范围所作的真实意思表示与客观行为,确定国家知识产权局与申请人在划定专利权边界上达成了何种一致的意见,并对社会公众形成了何种公示作用,从而使法院认定的专利权保护范围符合专利权产生时所公示的边界,符合国家授予、保护这种专有性、垄断性权利的初衷,如此才能为社会公众提供明确的法律预期,避免不当压缩社会公众对于公有技术自由运用的空间。


本案中,在原告于2012年10月17日成为涉案专利申请人之前,原申请人大自达系统电子株式会社于2010年2月3日提交的发明专利原始申请文件中,对应的技术特征位于权利要求1,具体内容为“第一金属层以沿着所述绝缘层的单面表面成为波纹结构的方式形成”,与专利授权的该项技术特征在文字表述上并无区别。但是,原申请人曾在提交发明专利原始申请文件后,将该项特征修改为“第一金属层的两面沿着所述绝缘层的所述单面表面形成”,该项特征所处的权利要求1也改为权利要求8。国家知识产权局对于上述修改提出了第一次审查意见,指出原申请文件仅记载了波纹结构的第一金属层和大致平坦结构的第一金属层两种实施例,没有给出第一金属层以其它方式(比如锯齿形或连续的凹凸形)的形成结构,而且本领域技术人员也不能从原申请文件记载的内容直接、毫无疑义地得到除了波纹和平坦方式以外的其他形成结构;同时由于第一金属层在绝缘体的单面形成,与绝缘体仅单面相贴,本领域技术人员也不能从原申请文件记载的内容直接、毫无疑义地得出如何将第一金属层的哪两个面沿着绝缘层的单面延展形成,因此修改之后的权利要求8的技术方案和原技术方案相比有实质性的区别,使得新的权利要求出现了原申请中没有记载的新的技术方案,超出了原说明书和权利要求书记载的范围;并且还提示了申请人再次提交的任何修改都应在意见陈述书中详细陈述修改的依据和修改没有超出原申请记载范围的理由。之后,原申请人针对审查意见作出意见陈述,称申请人将权利要求8的上述特征修改成“所述第一金属层以沿着所述绝缘层的所述单面表面成为波纹结构的方式形成”。通过上述修改,权利要求8的记载技术方案与原说明书记载的内容一致,能够符合专利法第33条的规定。根据原申请人的意见陈述以及再次修改特征的行为,应当视为原申请人同意了国家知识产权局认为“修改后的权利要求8‘第一金属层的两面沿着所述绝缘层的所述单面表面形成’的技术特征除了包含第一金属层以波纹结构的方式形成(原有范围的特征)外还包含第一金属层以其它方式(比如锯齿形或连续的凹凸形)的形成结构,以及两个面沿着绝缘层的单面延展形成,因而超出了原申请文件记载范围”的结论,并对权利要求再次进行修改。之后,国家知识产权局的第二次审查意见对该技术特征未再提出超出原说明书和权利要求书记载的范围的审查意见。综上,本院对于“第一金属层以沿着所述绝缘层的单面表面成为波纹结构的方式形成”特征中波纹结构的认定如下:


首先,审查意见认为第一金属层的形成结构仅有波纹结构和大致平坦结构属于原申请文件记载的范围,并且对以上两种结构的解释应当结合说明书的实施例进行,以上审查意见符合《中华人民共和国专利法》第五十九条关于“说明书及附图可以用于解释权利要求的内容”的规定。由于涉案专利的说明书和附图自专利申请后未曾改动过,因此对于第一金属层的波纹结构的解释应当结合说明书中实施例1的示意图即说明书附图1以及实施例1的SEM照片图即说明书附图13进行。虽然实施例1的示意图显示第一金属层的波纹结构是以相等波长(两个波峰之间的水平距离)、相等波高(波峰和波谷之间的垂直距离)的细微波浪形成,但是根据说明书中关于“金属层具有高弯曲性的波纹结构,能够提供一种对于从大的弯曲半径至变为小的弯曲半径的反复弯曲及滑动,金属层难以发生破坏”的发明目的,以及实施例1中体现实际效果的SEM照片图,均难以得出被告所主张的波纹结构应当加以限定相等波长、相等波高的结论,因此根据说明书和附图,对波纹结构应解释为具有周期性、基本平滑、并朝着一个方向连续上下波动的结构,但不应限定于相等波长或相等波高。


其次,审查意见进一步认为本领域技术人员不能从原申请文件记载的内容直接、毫无疑义地得到第一金属层除了波纹和大致平坦方式以外的比如锯齿形或连续的凹凸形等形成结构,修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围;原申请人表示同意审查意见对权利要求再次进行修改,对审查意见未作任何反驳,特别是未对审查意见认为修改后权利要求8包含的第一金属层以其它方式(比如锯齿形或连续的凹凸形)的形成结构超出原申请文件记载范围的意见进行反驳;之后,国家知识产权局对该技术特征未再提出超出原说明书和权利要求书记载的范围的审查意见。因此,对于社会公众而言,专利审查档案中的以上内容形成了国家知识产权局与原申请人经过审查、修改并陈述、再审查的过程对该技术特征的权利边界已达成一致意见的公示作用,应视为原申请人同意了国家知识产权局认为“修改后的‘第一金属层的两面沿着所述绝缘层的所述单面表面形成’的技术特征除了第一金属层以波纹结构的方式形成外还包含了第一金属层以其它方式(比如锯齿形或连续的凹凸形)的形成结构,该部分修改超出了原申请文件记载范围”的结论,并对权利要求再次进行修改。因公示作用所产生的公信力,应对于为划定专利权边界而进行的技术特征的解释产生影响。据此,本院认为,鉴于锯齿形结构是具有锯条上的尖齿形状的结构,与波纹结构区别明显,在此不再赘述;因此在解释波纹结构时,关键要结合如何区分波纹结构与连续的凹凸形结构进行。根据一般含义,波纹是细微的波浪形成的水纹,而波浪是水面形成的周期性的连续高低起伏运动;凹凸形是具有凹陷和凸起、高低起伏的形状,但并未限定凹陷的深度与凸起的高度,也未限定凹凸是以平滑还是曲率突变的形态、以及是否具有周期性规律等具体要素。原告认为连续的凹凸形应当限定为曲率突变、如附件四中所示的图形,没有充分依据,本院不予采纳。由于凹凸结构与波纹结构均具有高低起伏的特征,而波纹结构是在凹凸结构的基础上进一步限定为具有周期性的、如同细微波浪般连续高低起伏的结构,因此在一般含义上理解,凹凸结构属于波纹结构的上位概念,比波纹结构涵盖的范围更广。根据前述涉案专利的说明书和附图、涉案专利的发明目的,以及专利审查档案的内容,结合以上关于波纹结构、凹凸形结构的一般含义及其区分,本院认为,涉案专利权利要求8中第一金属层的波纹结构,指的是具有周期性的、基本平滑的、朝着一个方向连续高低起伏波动的结构,虽然波长和波高不应限定于相等波长或相等波高,但是不应当包括随机变化的、无规律高低起伏的连续凹凸形结构。


(二)关于第二个争议焦点问题,关键在于被告制造、销售、许诺销售的被诉侵权产品是否包含“第一金属层以沿着所述绝缘层的所述单面表面成为波纹结构的方式形成”的技术特征,双方当事人的争议集中在被诉侵权产品的第一金属层是否属于以波纹结构的方式形成。由于双方当事人均确认8款被诉侵权产品的第一金属层的结构与涉案鉴定意见的附件中的切片SEM结果图所体现的被鉴定物第一金属层的结构是一致的,因此本院以涉案鉴定意见的切片SEM结果图进行比对。经比对,本院认为,鉴定意见中这一百多幅切片SEM结果图中的白色部分是被鉴定物的第一金属层,而这一百多幅切片SEM结果图的白色部分没有一幅是完全相同的,高低起伏呈现随机变化、无规律的特点,且部分图中呈现出较平坦的片断,例如切片SEM结果图(21)、(25)、(54)、(84)等;部分图中呈现出不平滑、曲率突变的片断,例如切片SEM结果图(4)、(10)、(27)、(52)等,因此被诉侵权产品的第一金属层的结构应当属于随机变化的、无规律高低起伏的连续凹凸形结构。根据前述内容确定的涉案专利权的保护范围,随机变化的、无规律高低起伏的连续凹凸形结构应当排除在涉案专利权的保护范围之外,与涉案专利权利要求8的波纹结构既不属于相同特征、也不属于等同特征,因此被诉侵权技术方案不落入涉案专利权的保护范围。


关于被告认为被诉侵权产品第一金属层的结构应当属于大致平坦的结构,细微的凹凸不平应该属于第一金属层的“算术平均粗糙度”的技术特征的意见,本院认为,涉案专利权利要求8、9涉及第一金属层的算术平均粗糙度的技术特征,指的是波纹结构的第一金属层具有两面,其中第一金属层与绝缘层相接触面的表面的粗糙度呈现出一项算术平均粗糙度的值;同时第一金属层与绝缘层相接触面的相对另一面的表面的粗糙度也呈现出一项算术平均粗糙度的值,即第一金属层的两面分别各有一项算术平均粗糙度数值。根据涉案鉴定意见附件2和附件3,测试位置3的白色部分为第一金属层,测试位置3与测试位置4的绝缘层接触的一面具有一项算术平均粗糙度的值,测试位置2与测试位置3接触的一面(即第一金属层与绝缘层相接触面的相对另一面)也具有一项算术平均粗糙度的值,这两项值才属于算术平均粗糙度的技术特征,涉案鉴定意见分别测算出为0.6938μm与0.5834μm。因此,被告将白色部分的第一金属层凹凸不平的结构整体理解为第一金属层的“算术平均粗糙度”的意见,与事实不符,本院不予采纳。


关于涉案鉴定意见认为被鉴定物包含与涉案专利权利要求8-10记载的全部技术特征相同的技术特征的结论,经查,首先,涉案鉴定意见的结论并非经本院通过司法鉴定程序产生,属于原告的委托代理人在立案前单方委托鉴定机构所作鉴定,从证据形式而言不属于《中华人民共和国民事诉讼法》第六十三条第一款第(七)项规定的法院通过委托鉴定所形成的鉴定意见。虽然被告确认被诉侵权产品的第一金属层的结构与涉案鉴定意见的附件2及附件3中的切片SEM结果图所体现的被鉴定物第一金属层的结构是一致的,因此可以依据上述内容进行侵权比对,但对于涉案鉴定意见比对结论,双方当事人存有争议,本院依法对于涉案鉴定意见进行审查。经本院传唤出庭的鉴定人当庭陈述,委托人在委托鉴定时并未向鉴定机构出具涉案专利从申请到获得授权期间的文件,因此鉴定人在作出涉案鉴定意见前,并不了解专利申请后申请人对权利要求的修改,国家知识产权局的第一次、第二次审查意见通知书以及申请人针对审查意见作出的意见陈述书等文件;而且,鉴定人也在庭审中陈述根据涉案鉴定意见的切片SEM结果图所体现的被诉侵权产品第一金属层的结构,难以区分属于波纹结构还是连续的凹凸形结构,假设权利要求将第一金属层的结构表述为连续的凹凸形结构,鉴定人认为被诉侵权产品的第一金属层的结构也是落入权利要求保护范围的。以上内容说明鉴定人在对权利要求8所涉的波纹结构进行理解时,由于缺少了专利审查档案,对于波纹结构与连续的凹凸形结构的区分存在偏差,鉴于此,本院对于涉案鉴定意见关于被鉴定物包含与涉案专利权利要求8-10记载的全部技术特征相同的技术特征的结论不予采纳。


因此,虽然被告制造、销售、许诺销售了被诉侵权产品,但由于被诉侵权技术方案未落入涉案专利权的保护范围,因此被告的行为不构成侵权,对于原告在本案中提出的全部诉讼请求,本院均不予支持。


裁判结果


综上所述,依据《中华人民共和国专利法》第五十九条第一款、《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》第三条、第七条,《中华人民共和国民事诉讼法》第六十四条第一款,《最高人民法院关于适用〈中华人民共和国民事诉讼法〉的解释》第九十条的规定,判决如下:


驳回原告大自达电线股份有限公司的全部诉讼请求。


本案案件受理费505400元,由原告大自达电线股份有限公司负担。


如不服本判决,原告大自达电线股份有限公司可在判决书送达之日起三十日内,被告广州方邦电子股份有限公司可在判决书送达之日起十五日内,向本院递交上诉状,并按对方当事人的人数提出副本,上诉于广东省高级人民法院。


审  判 长   朱文彬

审  判   员   谭海华

审  判   员   邓永军

二〇一七年七月二十一日

法 官 助 理    齐  柳

书   记   员    周  宇



中国知识产权司法保护网(知产法网)主编


蒋志培 中国人民大学法学博士,曾在英国伯明翰大学法学院、美国约翰马歇尔法学院任高级访问学者,中国人民大学法学院、北京外国语大学法学院兼职教授,中国知识产权司法保护网主编、国家社科基金评审委员会专家,2014年、2015年受美国约翰马歇尔法学院、中国驻加拿大使馆和加方科技部邀请参加知识产权法律和创新论坛并演讲,2013年12月获得中国版权事业卓越成就奖。